DRAM 库存跌破 10 天警戒线：HBM4 产能挤占引发存储芯片历史级短缺

DRAM 库存跌破 10 天警戒线：HBM4 产能挤占引发存储芯片历史级短缺

发布时间：2026 年 9 月 7 日
来源：据韩国 KB 证券（KB Securities）及 TrendForce 市场研究数据 www.sosit.com.cn

核心事件：全球 DRAM 库存降至历史最低水位

根据韩国 KB 证券于 2026 年 9 月 7 日发布的最新报告，全球存储芯片市场已触及前所未有的库存警戒线。市场主导者三星电子（Samsung Electronics）与 SK 海力士（SK Hynix）两家企业的成品 DRAM 库存已降至10 天供应量以下。这一数据标志着供应链缓冲能力几乎完全耗尽，任何微小的生产中断（如天气灾害、劳工纠纷或地缘政治波动）都可能在数日内导致市场断供。 技王数据恢复

与此同时，TrendForce 同日发布的 2026 年第二季度 DRAM 营收报告显示，行业营收达到 1547.3 亿美元，较第一季度激增 59.5%。营收的暴涨与库存的枯竭形成了鲜明对比，表明市场需求已完全吸收了现有产能，且处于极度紧绷状态。

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技术根源：HBM4 架构导致晶圆产能的“挤出效应”加剧

此次短缺并非单纯的需求激增，而是由第六代高带宽内存（HBM4）的制造工艺特性决定的结构性矛盾。 技王数据恢复

晶圆消耗比恶化： HBM4 模块采用垂直堆叠 16 颗 DRAM 晶圆（前代 HBM3E 为 12 颗），通过数千个硅通孔（TSV）连接。这种复杂的堆叠工艺导致晶圆利用率大幅下降。据 KB 证券研报引用及行业分析确认，生产一颗 HBM4 模块所需的晶圆产能约为生产同等容量传统 DRAM 的3 倍。随着 HBM4 堆叠层数增加，这种“产能挤出效应”较上一代 HBM3E 进一步恶化了约三分之一。 www.sosit.com.cn

产能置换机制： 三星与海力士正在加速 HBM4 的量产爬坡。每增加一个 HBM4 晶圆投片，就意味着减少三个单位的传统 DRAM 产能。由于 HBM4 是 AI 加速器的核心组件，这种产能置换直接导致服务器 DRAM、消费级内存以及企业级 SSD 的供应同步收紧。 www.sosit.com.cn

市场格局：三大巨头营收暴涨，份额此消彼长

在 2026 年第二季度，全球 DRAM 市场营收达到 1547.3 亿美元，创下历史新高。三大主要供应商的业绩表现如下： 技王数据恢复

• 三星电子：以 39.4% 的市场份额领跑，营收同比增长 63.4%，达到 609.8 亿美元。其优势得益于率先大规模量产 HBM4 以及位元出货量增长强劲。
• SK 海力士：市场份额为 24.9%（较一季度下降），营收为 385.9 亿美元，同比增长 37.9%。份额的下滑反映了长期固定价格合同对平均售价上涨的滞后反应。
• 美光科技（Micron）：营收增长最为迅猛，达到 360 亿美元，同比增长 65.5%。美光通过将产能集中于高利润的服务器 DRAM，成功提升了市场份额至 23.3%。

值得注意的是，专注于成熟制程 DRAM 的台湾厂商（南亚科、华邦电、力晶）也实现了显著增长，分别录得 68.3%、75.8% 及类似幅度的营收提升，这主要得益于它们吸收了三星、海力士和美光无法完全满足的溢出需求。 www.sosit.com.cn

需求侧爆发：AI 基础设施吞噬全栈内存资源

当前短缺的严峻性在于，AI 基础设施正在同时消耗所有层级的内存资源，打破了以往单一品类短缺的周期。

全栈需求激增： 随着 OpenAI 发布 GPT-6 Astra 模型，企业级 AI 代理（AI Agents）开始承担更复杂的任务，导致对高带宽内存（HBM）、服务器 DRAM 以及用于数据集存储和企业级 SSD 的需求同步爆发。

关键数据预测： KB 证券预测，到 2027 年，全球超大规模云厂商（Hyperscaler）的 AI 基础设施支出将达到约 1.3 万亿美元，较前一年增长 60%，其中内存支出占比将从 2024 年的 14% 飙升至 57%。

OpenAI 的“星门”计划： 2025 年 10 月，三星与海力士曾签署意向书，承诺每月向 OpenAI 的“星门”（Stargate）AI 基础设施项目供应 90 万片 DRAM 晶圆。尽管近期有报道称该项目进度有所放缓，但这笔长期订单依然锁定了巨量的未来产能。

供应端瓶颈：新产能释放滞后于需求增长

尽管各大厂商正在扩充产能，但新产线的建设周期导致供应端无法在短期内匹配爆炸式的需求。

• SK 海力士：其位于清州的新 M15X 扩展晶圆厂（采用 EUV 光刻）已于 2026 年第一季度开始试产，但预计要到 2027 年年中才具备实质产能。其先进封装厂 P&T7 的完工目标也推迟至 2027 年底。
• 三星电子：预计年底将把 HBM 产能提升约 47%，达到每月 25 万片晶圆，主要集中在平泽 P4 产线。新的 P5 产线预计要到 2028 年才能投入运营。
• 美光科技：其在美国的晶圆厂扩建项目也预计最早在 2027 年至 2028 年间释放有效产能。

TrendForce 模型预测，2026 年至 2027 年间，三大巨头将主要专注于工艺节点迁移而非增加原始晶圆投片量，这意味着实际位元供应量的增长将非常有限。

对采购方与行业的具体影响

对于处于供应链下游的科技企业、云服务商及消费电子制造商而言，当前的库存水位意味着极高的运营风险。

交货周期（Lead Time）延长： 目前，企业级大客户订购大颗粒 DRAM 的交货周期已延长至40 周以上。

报价有效期缩短： 分销商的报价有效期已压缩至48 至 72 小时。这意味着客户今天拿到的价格，明天可能就无法复购，必须立即锁定订单。

供应满足率下降： 韩国 Meritz 证券分析师估计，2026 年下半年 DRAM 供应商的订单满足率仅为 75% 至 80%，而到 2027 年可能进一步降至 60% 左右。

中国用户关注：供应链风险与本地化服务建议

此次全球存储芯片的结构性短缺对中国科技产业及企业用户具有直接且深远的影响。

进口依赖风险： 中国 DRAM 市场高度依赖进口，尤其是高端 HBM 及高性能服务器内存。随着全球库存降至 10 天以下，一旦国际物流受阻或地缘政治因素导致出口限制，国内相关企业的生产连续性将面临严峻挑战。

企业应对建议：

1. 立即锁定库存： 鉴于报价有效期极短且交货周期漫长，建议企业立即与供应商确认 2027 年的供货承诺，避免错失窗口期。

2.

对于非紧急的终端消费产品，可适当调整备货策略，利用现有库存覆盖短期需求，减少资金占用。 3.

后续观察重点

市场目前存在两种主要观点的博弈：

• 短缺派（主流）： 以 KB 证券、Meritz 证券及三星、海力士高管为代表，认为由于 HBM4 产能爬坡缓慢且需求持续爆发，2027 年将是行业历史上最困难的一年，短缺将持续至 2030 年。
• 周期派（少数）： TechInsights 分析师 Dan Hutcheson 认为，此次短缺可能更接近经典的周期性波动，有望在 1-2 年内随新产能释放而缓解。

最终，市场能否在 2027 年实现供需平衡，取决于新晶圆厂的建设进度、地缘政治环境以及 AI 模型实际落地带来的真实需求增速。

信息来源

本文核心数据与观点主要基于以下公开资料整理：

• 韩国 KB 证券（KB Securities）2026 年 9 月 7 日研报
• TrendForce 2026 年第二季度 DRAM 营收报告
• OpenAI 官方关于 GPT-6 Astra 及 Stargate 项目的公开声明

技术审核：邓严军｜技王数据恢复实验室技术总监